印度首个自研芯片今年投产；美科技巨头对AI芯片出口限制发声；英特尔再度推迟“千亿美元”工厂建设
来源：电能质量优化
发布时间：2025-03-05 09:43:05
近日，印度电子与信息技术部长阿什温·瓦伊什诺（Ashwini Vaishnaw）宣布，印度首个自主研发的半导体芯片将于今年投入生产。
在2025年全球投资者峰会上，瓦伊什诺表示，印度政府正大力培养高技能劳动力，计划在“未来技能计划”下培训20000名工程师。目前，印度已有五个半导体生产单位在建，首个“印度制造”的半导体芯片预计于2025年推出。为逐步推动产业增长，政府还计划培训85000名工程师，专注于先进半导体和电子制造技术，为产业高质量发展提供坚实的人才支撑。
据印度媒体DD News报道，印度中央邦的首个IT园区已正式启用。该园区面积达10万平方英尺，专注于制造IT硬件和电子科技类产品，涵盖服务器、台式机、主板、内存条、固态硬盘、无人机和机器人等领域。园区计划在未来六年内投资150亿印度卢比（约合12.5亿元人民币），预计将为1200名专业技术人员提供就业机会，同时还将生产台式机、一体机工作站、笔记本电脑、平板电脑和显示器等产品。
深陷困境的芯片制造商英特尔于上周五宣布，将推迟在俄亥俄州开设芯片制造工厂的计划。
早在2022年，英特尔曾承诺投资高达1000亿美元，在俄亥俄州打造大型芯片制造综合体Ohio One，该项目包括8家制造厂，旨在提升半导体产能，最初规划于2025年投产。
然而，根据最新时间表，英特尔表示要到2030年才能完成Ohio One位于新奥尔巴尼的第一座晶圆厂Mod1的建设，并于当年或次年投入运营；第二座晶圆厂Mod2预计在2031年完工，2032年开始投产。
英特尔代工制造副总裁兼全球运营官Naga Chandrasekaran在新闻稿中称：“随着我们持续对美国工厂投资，我认为使晶圆厂投产与公司业务及更广泛市场需求保持一致至关重要。这是我们一贯的做法，有助于我们合理管理资本，适应客户的真实需求。”
实际上，该项目近一年前已出现过一次延期。去年3月，英特尔曾表示Mod1和Mod2计划于2026 - 2027年完工，约一年后正式运营。英特尔此次再次推迟俄亥俄州芯片制造工厂的开设进程，其背后或受自身业务发展状况与市场形势等多种因素影响，后续发展形态趋势值得持续关注。
近期，微软总裁与亚马逊首席执行官先后表态，呼吁特朗普团队重新审视拜登政府针对人工智能（AI）芯片实施的出口限制政策，他们担心这一举措会致使美国盟友倒向竞争对手中国。
微软总裁布拉德·史密斯在其博客中指出：“拜登政府所制定的规则超出了必要范畴，将美国众多关键盟友及合作伙伴列为分级管制的第二级。”这一做法使印度、瑞士、以色列等盟友陷入不利境地，极大地限制了美国科技公司在这些国家构建与拓展AI数据中心的能力。史密斯认为，此类限制所产生的“意外”后果，便是迫使这些国家寻求其他渠道获取AI基础设施及服务。
亚马逊首席执行官安迪·贾西也表达了类似观点。在接受彭博电视采访时，贾西表示：“我不清楚本届政府对这一情况的看法，但我们同样担忧对美国一些天然盟友国家施加的限制。这些国家对芯片需求庞大，如果咱们不可以提供，基本上就是将这些业务及合作伙伴关系拱手让给其他可提供芯片的国家……显然，与它们保持合作伙伴关系才是更优选择。”
英伟达公司被视为受这些限制冲击较为严重的企业之一。此前，美国已对英伟达大部分图形处理器（GPU）向中国北京的出口予以限制。2月26日晚间，英伟达首席财务官科莱特·克雷斯在与分析师的电话会议中称：“对中国数据中心的产品销售量仍远低于出口管制实施之初的水平。倘若监管政策不发生改变，我们预计对中国的出货量将维持在当前的大致比例。”
近日，美光科技公司宣布已经率先向ECO合作伙伴和特定客户交付基于1γ（1-gamma）、第六代（10nm级）DRAM节点的DDR5内存样品，该内存专为下一代CPU设计。
美光的1γ工艺节点是一种新的制造工艺，它使用极紫外（EUV）光刻技术——其极短的波长为13.5纳米——在硅片上打印更精细的特征通过。打印更小的特征，能更加进一步缩小晶体管的尺寸，从而减小DRAM芯片的尺寸。因此，美光1γ 16Gb DDR5产品的每片晶圆比特数比1β（1-beta）16Gb DDR5产品提高了30%以上。1γ节点还利用了美光下一代高K金属栅（HKMG）CMOS技术，以改善晶体管性能和电路面积的缩放。
通过将这种新的CMOS技术与经过精心优化的设计相结合——包括改进电路原理图和布局——美光1γ 16Gb DDR5能够同时实现高达9200 MT/s的速度，并比上一代节点降低20%以上的功耗。
2月28日，在阿里达摩院举办的2025玄铁RISC-V生态大会上，宣布玄铁最高性能处理器C930将于3月开启交付，这标志着玄铁家族迎来了首款服务器级处理器。
C930通用算力在SPECint2006基准测试中达到15/GHz，能够大范围的应用于PC、边缘服务器、无人驾驶等高算力需求场景。在技术架构方面，C930具备15级乱序超标量流水线，支持CHI协议，拥有多核多cluster可扩展特性，具备6译码宽度和10+发射宽度，保障了高效的数据处理与运算能力。
在算力融合创新上，C930搭载512 bits RVV1.0和8 TOPS Matrix双引擎，实现了通用高性能算力与AI算力的原生结合，并且开放DSA扩展接口，可灵活满足更多特性需求。
此外，官方透露将持续推进玄铁处理器C（语音/视觉/边缘）、E（微控制/无线）、R（通信/工控/车载）三个系列的发展。今年，除了即将交付的C930，还计划推出R908A处理器，进一步丰富玄铁处理器产品线，为不相同的领域的应用提供更适配的解决方案，推动RISC-V生态的持续繁荣。
v9 边缘人工智能 (AI) 计算平台，该平台以全新的 Arm Cortex®-A320 CPU 和领先的边缘 AI 加速器 Arm Ethos™-U85 NPU 为核心，可支持运行超 10 亿参数的端侧 AI 模型。
Arm 此次发布的计算平台集成了全新的超高能效 Armv9 CPU——Cortex-A320 和支持 Transformer 算子网络的 Ethos-U85 NPU，打造出全球首个专为物联网优化的 Armv9 边缘 AI 计算平台。相较于去年推出的基于 Cortex-M85 的平台，新的边缘 AI 计算平台的机器学习 (ML) 性能提高了八倍。
Cortex-A320 充分的发挥了 Armv9 架构的优势，如针对 ML 性能的 SVE2。相较于前代产品 Cortex-A35，Cortex-A320 的 ML 性能提升了十倍，标量性能提升了 30%。
派恩杰半导体宣布成功完成近5亿块钱的融资，据介绍，派恩杰半导体成立于2018年9月，是一家专注于第三代半导体功率器件设计和解决方案的公司，也是国际标准委员会JC-70会议的主要成员之一，参与制定宽禁带半导体功率器件国际标准。该公司发布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大规模导入国产新能源整车厂和Tier 1，其余产品大范围的使用在大数据中心、超级计算与区块链、5G通信基站、储能/充电桩、微型光伏、城际高速铁路和城际轨道交通、家用电器以及特高压、航空航天、工业特种电源、UPS、电机驱动等领域。
格创东智宣布完成数亿元人民币C轮融资。格创东智成立于2018年，由TCL战略孵化，围绕泛半导体制造产业提供工业智能应用与场景化解决方案。2022年公司曾获得上汽集团、粤财基金数亿元B轮融资，营收超10亿元。
